NE66219-T1-A中文资料
- 大小：1092KB
- 厂家：
- 描述：RF Transistor NPN 3.3V 35mA 21GHz 115mW Surface Mount SOT-523
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：RF 晶体管 (BJT)
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：3.3V
- 频率 - 转换：21GHz
- 噪声系数（dB典型值@频率）：1.2dB @ 2GHz
- 增益：15dB
- 功率 - 最大：115mW
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：60 @ 5mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：35mA
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-75，SOT-416
- 供应商设备封装：3-SuperMiniMold
- 包装：带卷 (TR)
NE66219-T1-A供应商
更新时间:2023-01-29 20:52:35- 供应商
- 产品型号
- 服务标识
- 数量
- 厂商
- 封装/批号
- 说明
- 询价
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NE66219-T1-A
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26000
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-/2025+
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射频半导体
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NE66219-T1-A
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65286
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-/21+
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全新原装现货，长期供应，免费送样
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NE66219-T1-A
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20000
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SOT423/21+
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原厂原装 正品/假一罚十
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NE66219-T1-A
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10800
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SOT523/21+
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一级代理 现货在库
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NE66219-T1-A
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73000
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NEW/NEW
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一级代理保证
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NE66219-T1-A
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33000
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23+/SOT423
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NE66219-T1-A
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5000
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SOT423/2015+
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原装正品，配单能手
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NE66219-T1-A
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5000
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SOT423/2017+
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原装 部分现货量大期货
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